NTT光存储器技术新突破

雷本祖
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   NTT发表世界首创的光存储器技术,容量超过100bit,可免除光讯号转换为电子讯号的资料处理动作,有助于未来发展高速化、低耗电的资通讯(ICT)技术。

 
  截至目前为止所研发的光记忆体尺寸都偏大,没办法收容在一起使用,因此被认为是光记忆体研究中最为困难的一环。而NTT在多次反覆研究后,使用光子晶体(photoniccrystal)素材的光奈米共振器结构,研发出可收纳于晶片内的超小型光记忆体,将光封闭于装置中以储存资讯。
 
  目前为止的光记忆体就像NTT2012年研究的产品一样,大多只能做到4bit程度,而这次实际做出100bit以上的光RAM,有助于今后正式研发大规模光RAM,进而产制实用性高、可直接处理光资讯的产品。
 
  另外,NTT也说明,本次研发中将100个以上的微米等级光装置,高密度收容于单一晶片中,这也代表光装置往后可像电晶体等电子装置一样,组成大规模的积体电路,因此具有极大的意义。
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